Feldeffekttransistor

Stichpunkte

Allgemein
	meist als FET (field-effect transistor) bezeichnet
	ist ein unipolarer Transistor
	Der Feldeffekttransistor
	Unipolar daher
	weil im Gegensatz zum bipolaren Transistor
	je nach Typ
	entweder nur Defektelektronen (Löcher) oder Elektronen am Stromtransport beteiligt sind
	Das Prinzip des FET ist schon seit Ende der 20er Jahre bekannt
	"Verbergen") 1 Typen und Schaltsymbole 2 Funktionsweise 3 FET-Grundschaltungen 4 Siehe auch [Bearbeiten]
	Jedoch erst mit der Beherrschung der SI-Technologie kam er zur Serienreife. Inhaltsverzeichnis showTocToggle("Anzeigen"
Typen und Schaltsymbole
	Bild nicht gefunden800px [Bearbeiten]
Funktionsweise
	Quelle)
	Gate und Drain (Abfluss)
	Source (Zufluss
	Der FET hat 3 Anschlüsse
	Ein vierter Anschluss Bulk (Substrat) ist bei Einzeltransistoren mit Source verbunden und nicht extra herausgeführt
	wird die Leitfähigkeit des Source-Drain-Kanals des Feldeffekt-Transistors beeinflusst
	hervorgerufen durch eine Steuerspannung zwischen Gate und Source
	Durch ein elektrisches Feld
	Je nach benutztem Effekt wird unterschieden zwischen MOSFET und JFET (Junction- oder Sperrschicht-FET)
	JFETs nutzen einen in Sperrrichtung betriebenen p-n-Ãœbergang
	um das elektrische Feld zu bilden
	was allerdings den Vorteil der leistungslosen Ansteuerung zunichte macht
	Theoretisch kann dieser auch in Flussrichtung betrieben werden
	es wird lediglich eine Steuerspannung benötigt
	Der entscheidende schaltungstechnische Unterschied zum bipolaren Transistor besteht in der bei niedrigen Frequenzen praktisch leistungslosen Ansteuerung des FET
	Ein weiterer Unterschied ist der Ladungstransport in dem unipolaren Source-Drain-Kanal
	d.h
	Diese Tatsache ermöglicht prinzipiell einen inversen Betrieb des FET
	Drain und Source können vertauscht werden
	weil die meisten Typen sowohl unsymmetrisch aufgebaut als auch die Anschlüsse Bulk und Source intern verbunden haben
	Allerdings trifft dies nur auf sehr wenige FETs zu
	Zudem kann der unipolare Kanal als bidirektionaler Widerstand benutzt werden und somit nicht nur Gleich-
	was z.B. bei Dämpfungsschaltungen (Abschwächer
	Muting) genutzt wird. Es gibt folgende Feldeffekt-Transistoren: Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor (JFET) Schottky-Feldeffekt-Transistor (MESFET) Metalloxidhalbleiter-Feldeffekt-Transistor (MOSFET) High Electron Mobility Transistor (HEMT) Ionen-Sensitiver Feldeffekt-Transistor (ISFET) Organischer Feldeffekttransistor (OFET) [Bearbeiten]
	sondern auch Wechselströme beeinflussen
FET-Grundschaltungen
	Für Feldeffekttransistoren gibt es einige Grundschaltungen: Source-Schaltung Drain-Schaltung Gate-Schaltung Kaskodenschaltung [Bearbeiten]
Siehe auch
	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ca:Transistor d'efecte camp da:Felteffekttransistor en:Field effect transistor id:Transistor efek medan ja:電界効果トランジスタ nl:Veldeffecttransistor

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